BFQ591
. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt. Typenbezeichnung: BFQ591
Werkstoff: Si
Polarity: NPN
Gesamt-Verlustleistung (Pc): 2.25
Kollektor-Basis-Sperrspannung (Ucb): 0
Kollektor-Emitter-Sperrspannung (Uce): 15
Emitter-Basis-Sperrspannung (Ueb): 0
Kollektorstrom (Ic): 0.2
Höchste Sperrschichttemperatur (Tj), °C:
Transitfrequenz (ft): 7000
Kollektor-Kapazität (Cc), pF:
Kurzschluss-Stromverstärkung (hfe): 0
Transistorgehäuse: SOT89
Ersatz (vergleichstyp) für BFQ591
BFQ591
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1.1. bfq591.pdf  Size:145K _inchange_semiconductor  |
 | 20 V
V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage IE= 0.1m A ; IC= 0 3 V
ICBO Collector Cutoff Current VCB= 10V; IE= 0 0.1 ?A
hFE DC Current Gain IC= 70mA ; VCE= 8V 60 250
fT Current-Gain—Bandwidth Product IC= 70mA ; VCE= 12V; f= 1GHz 7 GHz
PG Power Gain IC= 70mA;VCE= 12V; f= 900MHz 11 dB
PG Power Gain IC= 70mA;VCE= 12V; f= 2GHz 5.5 dB
Feedback Capacitance IE= 0 ; VCB= 12V; f= 1MHz 0.8 pF
Cre
?S21e?2 Insertion Power Gain IC= 70mA ; VCE= 12V; f= 1GHz 10 dB
VO Output Voltage note 700 |
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