TTB001
. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt. Typenbezeichnung: TTB001
Werkstoff: Si
Polarity: PNP
Gesamt-Verlustleistung (Pc): 0
Kollektor-Basis-Sperrspannung (Ucb): 60
Kollektor-Emitter-Sperrspannung (Uce): 60
Emitter-Basis-Sperrspannung (Ueb): 0
Kollektorstrom (Ic): 3
Höchste Sperrschichttemperatur (Tj), °C:
Transitfrequenz (ft):
Kollektor-Kapazität (Cc), pF:
Kurzschluss-Stromverstärkung (hfe): 0
Transistorgehäuse: TFP(9.2x10.7)
Ersatz (vergleichstyp) für TTB001
TTB001
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5.1. ttb002_en_datasheet_100624.pdf Size:187K _toshiba2 |
| igh temperature/current/voltage and the
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if
the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum
ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
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