DTA023YM
. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt. Typenbezeichnung: DTA023YM
Werkstoff: Si
Polarity: PNP
Gesamt-Verlustleistung (Pc): 0.15
Kollektor-Basis-Sperrspannung (Ucb): 0
Kollektor-Emitter-Sperrspannung (Uce): 50
Emitter-Basis-Sperrspannung (Ueb): 0
Kollektorstrom (Ic): 0.1
Höchste Sperrschichttemperatur (Tj), °C: 150
Transitfrequenz (ft): 250
Kollektor-Kapazität (Cc), pF:
Kurzschluss-Stromverstärkung (hfe): 0
Transistorgehäuse: VMT3
Ersatz (vergleichstyp) für DTA023YM
DTA023YM
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4.1. dta023j.pdf  Size:1070K _rohm  |
 | it (pieces)
GND(+)
DTA023JM 0 --
DTA023JEB -0 -
IN OUT
DTA023JUB - - 0
GND(+)
R1=2.2k?,R2=47k?
?Absolute maximum (Ta=25?C)
Limits(DTA023J?)
Parameter Symbol Unit
MEB UB
Supply voltage VCC -50 V
-12 V
Input voltage VIN
5V
Collector current *1 IC(max) -100 mA
Output current IO -100 mA
Power dissipation *2 PD 150 200 mW
Junction temperature Tj 150 ?C
Range of storage temperature Tstg -55 to +150 ?C
*1?Characteristics of built-in transistor
*2 Each terminal mounted on a referen |
5.1. dta024e.pdf Size:325K _rohm  |
 | R2
Basic ordering
GND(+)
8000 3000 3000
unit (pieces)
DTA024EM 0 --
IN OUT
DTA024EEB - 0 -
DTA024EUB - - 0 GND(+)
R1=R2=22k?
?Absolute maximum (Ta=25?)
Limits(DTA024E?)
Parameter Symbol Unit
MEB UB
Supply voltage VCC -50 V
-40 V
Input voltage VIN
10 V
Collector current *1 IC(max) -100 mA
Output current IO -30 mA
Power dissipation *2 PD 150 200 mW
Junction temperature Tj 150 ?C
Range of storage temperature Tstg -55 to +150 ?C
*1?Characteristics of built-in transistor
*2 Ea |
Anderen transistoren... DTA015EUB
, DTA023EEB
, DTA023EM
, DTA023EUB
, DTA023JEB
, DTA023JM
, DTA023JUB
, DTA023YEB
, BC548
, DTA023YUB
, DTA024EEB
, DTA024EM
, DTA024EUB
, DTA043EEB
, DTA043EM
, DTA043EUB
, DTA043ZEB
.
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