Alle Transistoren. TSD2150A Datenblatt

 

TSD2150A . Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt.

Typenbezeichnung: TSD2150A

Werkstoff: Si

Polarity: NPN

Gesamt-Verlustleistung (Pc): 0.6 W

Kollektor-Basis-Sperrspannung (Vcb): 80 V

Kollektor-Emitter-Sperrspannung (Vce): 50 V

Emitter-Basis-Sperrspannung (Veb): 6 V

Kollektorstrom (Ic): 3 A

Höchste Sperrschichttemperatur (Tj): 150 °C

Transitfrequenz (ft): 90 MHz

Kollektor-Kapazität (Cc): 45 pF

Kurzschluss-Stromverstärkung (hfe): 200

Transistorgehäuse: SOT89_TO92

Ersatz (vergleichstyp) für TSD2150A

TSD2150A Datasheet PDF:

1.1. tsd2150a.pdf Size:108K _update

TSD2150A
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 TSD2150A Low Vcesat NPN Transistor SOT-89 TO-92 Pin Definition: Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Base 1. Emitter BVCBO 80V 2. Collector 2. Collector 3. Emitter 3. Base BVCEO 50V IC 3A VCE(SAT) 0.5V @ IC / IB = 2A / 200mA Features Ordering Information ● Low VCE(SAT) 0.1 @ IC / IB = 1A / 50mA (Typ.) Part No. Package Packing ● Complementary part with TSB1424A T

5.1. tsd2118cp.pdf Size:211K _update

TSD2150A
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 TSD2118 Low Vcesat NPN Transistor TO-252 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Base (DPAK) 2. Collector BVCBO 50V 3. Emitter BVCEO 20V IC 5A VCE(SAT) 1V @ IC / IB = 4A / 100mA Features Ordering Information ● Low VCE(SAT) -0.35 @ IC / IB = 4A / 100mA (Typ.) Part No. Package Packing ● Complementary part with TSB1412 TSD2118CP RO TO-252 2.5Kpcs / 13” Reel Stru

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