CT60AM-18F Todos los transistores

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CT60AM-18F - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CT60AM-18F

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 180W

Tensión colector-emisor (Vce): 900V

Voltaje de saturación colector-emisor (Vcesat): 2.1V

Tensión emisor-compuerta (Veg): 30V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 60A

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

Tiempo de elevación: 50

Capacitancia de salida (Cc), pF: 4400pF

Empaquetado / Estuche: TO3PL

Búsqueda de reemplazo de CT60AM-18F - IGBT

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CT60AM-18F
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MITSUBISHI Nch IGBT CT60AM-18F INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR CT60AM-18F OUTLINE DRAWING Dimensions in mm 5 20MAX. 2 ?3.2 2 1 0.5 3 5.45 5.45 4.0 VCES ............................................................................... 900V IC .........................................................................................60A GATE Simple drive COLLECTOR EMITTER In

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