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IXGH72N60B3
- IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características Número de Parte: IXGH72N60B3
Polaridad de transistor: N-Channel
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc):
Tensión colector-emisor (Uce): 600V
Voltaje de saturación colector-emisor (Ucesat): 1.8V
Tensión emisor-compuerta (Ueg):
Corriente del colector DC máxima (Ic): 75A
Temperatura operativa máxima (Tj), °C:
Tiempo de elevación: 90
Capacitancia de salida (Cc), pF:
Empaquetado / Estuche: TO247
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- IGBT IXGH72N60B3
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1.1. ixgh72n60c3.pdf  Size:166K _ixys  |
 | s
E 15.75 16.26 .610 .640
tfi 124 ns
e 5.20 5.72 0.205 0.225
VCE = 480V, RG = 2?, Note 2
L 19.81 20.32 .780 .800
Eoff 0.93 mJ
L1 4.50 .177
?P 3.55 3.65 .140 .144
RthJC 0.23 C/W
Q 5.89 6.40 0.232 0.252
RthCK 0.21 C/W
R 4.32 5.49 .170 .216
S 6.15 BSC 242 BSC
Notes:
1. Pulse test, t ? 300?s, duty cycle, d ? 2%.
2. Switching times & energy losses may increase for higher VCE(Clamp), TJ or RG.
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS MOSFETs a |
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