IXGK320N60B3
- IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características Número de Parte: IXGK320N60B3
Polaridad de transistor: N-Channel
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc):
Tensión colector-emisor (Uce): 600V
Voltaje de saturación colector-emisor (Ucesat): 1.6V
Tensión emisor-compuerta (Ueg):
Corriente del colector DC máxima (Ic): 500A
Temperatura operativa máxima (Tj), °C:
Tiempo de elevación: 165
Capacitancia de salida (Cc), pF:
Empaquetado / Estuche: TO264
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5.1. ixgk35n120b_ixgk35n120bd1_ixgx35n120b_ixgx35n120bd1.pdf  Size:1845K _ixys  |
 | 0 1.030
Remarks: Switching times may
tfi 160 320 ns
E 19.81 19.96 .780 .786
increase for VCE (Clamp) > 0.8 VCES, e 5.46 BSC .215 BSC
Eoff 3.8 7.3 mJ
J 0.00 0.25 .000 .010
higher TJ or increased RG
K 0.00 0.25 .000 .010
L 20.32 20.83 .800 .820
td(on) 55 ns
L1 2.29 2.59 .090 .102
Inductive load, TJ = 125
C
P 3.17 3.66 .125 .144
tri 31 ns
IC = IC90, VGE = 15 V Q 6.07 6.27 .239 .247
Eon 2.6 mJ Q1 8.38 8.69 .330 .342
VCE = 0.8 VCES, RG = Roff = 5 ?
R 3.81 4.32 .150 .17 |
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