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G7N60C3D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: G7N60C3D

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 60W

Tensión colector-emisor (Vce): 600V

Voltaje de saturación colector-emisor (Vcesat): 2V

Tensión emisor-compuerta (Veg): 20V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 14A

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

Tiempo de elevación: 8.5

Capacitancia de salida (Cc), pF:

Empaquetado / Estuche: TO220AB

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G7N60C3D PDF doc:

5.1. hgtp7n60a4_hgtg7n60a4_hgt1s7n60a4.pdf Size:173K _fairchild_semi

G7N60C3D
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HGT1S7N60A4S9A, HGTG7N60A4 HGTP7N60A4 Data Sheet September 2004 600V, SMPS Series N-Channel IGBT Features The HGT1S7N60A4S9A, HGTG7N60A4 and HGTP7N60A4 >100kHz Operation at 390V, 7A are MOS gated high voltage switching devices combining 200kHz Operation at 390V, 5A the best features of MOSFETs and bipolar transistors. These 600V Switching SOA Capability devices have the high i

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