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GT60M303 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GT60M303

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc):

Tensión colector-emisor (Vce): 900V

Voltaje de saturación colector-emisor (Vcesat): 2.7V

Tensión emisor-compuerta (Veg): 15V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 60A

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

Tiempo de elevación: 400

Capacitancia de salida (Cc), pF:

Empaquetado / Estuche: TO264

Búsqueda de reemplazo de GT60M303 - IGBT

GT60M303 PDF doc:

1.1. gt60m303.pdf Size:420K _toshiba

GT60M303
GT60M303

GT60M303 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT GT60M303 HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS Unit: mm Fourth generation IGBT FRD included between emitter and collector Enhancement mode type High speed IGBT : tf = 0.25?s (TYP.) FRD : trr = 0.7?s (TYP.) Low saturation voltage : VCE (sat) = 2.1V (TYP.) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25C) CHAR

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