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SSIG15N135H - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSIG15N135H

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 260

Tensión colector-emisor (Uce): 1350

Voltaje de saturación colector-emisor (Ucesat): 1.9

Tensión emisor-compuerta (Ueg): 30

Corriente del colector DC máxima (Ic): 30

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 175

Tiempo de elevación:

Capacitancia de salida (Cc), pF: 40

Empaquetado / Estuche: TO247

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SSIG15N135H PDF doc:

1.1. ssig15n135h.pdf Size:585K _silikron

SSIG15N135H
SSIG15N135H

 SSIG15N135H Main Product Characteristics: VCES 1350V VCE(sat) 1.9V (typ.) ID 15A @ TC = 100° C Schema t ic d iagr am TO-247 Features and Benefits:  Advanced Trench-FS Process Technology  Low Collector-Emitter Saturation Voltage, Typical Data is 1.9V@15A  Fast Switching  High Input Impedance  Pb- Free Product  Power Switch Circuit of Induction Co

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