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BT25T120ANF - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BT25T120ANF

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 312

Tensión colector-emisor (Uce): 1200

Voltaje de saturación colector-emisor (Ucesat): 2.5

Tensión emisor-compuerta (Ueg): 20

Corriente del colector DC máxima (Ic): 50

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

Tiempo de elevación: 21

Capacitancia de salida (Cc), pF: 82

Empaquetado / Estuche: TO3PN

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BT25T120ANF
BT25T120ANF

Silicon FS Planar IGBT R ○ BT25T120ANF General Description: VCES 1200 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced FS(field IC 25 A stop) technology, the 1200V Trench FS-IGBT offers superior conduction Ptot (TC=25℃) 312 W and switching performances, high avalanche ruggedness. VCE(SAT) 1.9 V Features: Trench FS Technology, Positive temperature coef

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