Todos los transistores

Introduzca al menos 3 números o letras

BT30N60ANF - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BT30N60ANF

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 312

Tensión colector-emisor (Uce): 600

Voltaje de saturación colector-emisor (Ucesat): 2.5

Tensión emisor-compuerta (Ueg): 20

Corriente del colector DC máxima (Ic): 30

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

Tiempo de elevación: 36

Capacitancia de salida (Cc), pF: 140

Empaquetado / Estuche: TO3PN

Búsqueda de reemplazo de BT30N60ANF - IGBT

BT30N60ANF PDF doc:

1.1. bt30n60anf.pdf Size:105K _crhj

BT30N60ANF
BT30N60ANF

Silicon FS Planar IGBT R ○ BT30N60ANF General Description: VCES 600 V Using HUAJING's proprietary Planar design and advanced FS IC 30 A technology, the 600V FSIGBT offers superior conduction and switching Ptot (TC=25℃) 312 W performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation. VCE(SAT) 2.0 V Features: FS Planar Technology, Positive temperature

Otros transistores... FGW50N60VD(50G60VD) , FGW75N60H(75G60H) , FGW75N60HD(75G60HD) , FGW85N60RB(85G60RB) , 1MBH60-100 , FGL40N120AN , BRG15N120D , BRG20N120D , CT60AM-18F , SSIG15N135H , SSIG20N135H , BT25T120ANF , BT15T120ANF , BT15N120ANF , BT40N60BNF , BT30N60ANF , BT50N60ANF .

 


BT30N60ANF
  BT30N60ANF
  BT30N60ANF
  BT30N60ANF
 
BT30N60ANF
  BT30N60ANF
  BT30N60ANF
  BT30N60ANF
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores

IGBT: BT15N60A9F | BT50N60ANF | BT30N60ANF | BT40N60BNF | BT15N120ANF | BT15T120ANF | BT25T120ANF | SSIG20N135H | SSIG15N135H | BRG25N120D |


Introduzca al menos 2 números o letras