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BT15N60A9F - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BT15N60A9F

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 25

Tensión colector-emisor (Uce): 600

Voltaje de saturación colector-emisor (Ucesat): 2.6

Tensión emisor-compuerta (Ueg): 20

Corriente del colector DC máxima (Ic): 15

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

Tiempo de elevación: 18

Capacitancia de salida (Cc), pF: 94

Empaquetado / Estuche: TO220F

Búsqueda de reemplazo de BT15N60A9F - IGBT

BT15N60A9F PDF doc:

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BT15N60A9F
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Silicon FS Planar IGBT R ○ BT15N60A9F General Description: VCES 600 V Using HUAJING's proprietary Planar design and advanced FS IC 15 A technology, the 600V FSIGBT offers superior conduction and switching Ptot TC=25℃) 25 W performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation. VCE(SAT) 2.1 V Features: FS Planar Technology, Positive temperature coeff

5.1. bt15n120anf.pdf Size:254K _crhj

BT15N60A9F
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Silicon FS Planar IGBT R ○ BT15N120ANF General Description: VCES 1200 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced FS(field IC 25 A stop) technology, the 1200V Trench FS-IGBT offers superior conduction Ptot (TC=25℃) 186 W and switching performances, high avalanche ruggedness. VCE(SAT) 2.2 V Features: Trench FS Technology, Positive temperature coef

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