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SGL60N90DG3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SGL60N90DG3

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc):

Tensión colector-emisor (Uce): 900V

Voltaje de saturación colector-emisor (Ucesat): 2V

Tensión emisor-compuerta (Ueg):

Corriente del colector DC máxima (Ic): 60A

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

Tiempo de elevación: 250

Capacitancia de salida (Cc), pF:

Empaquetado / Estuche: TO264

Búsqueda de reemplazo de SGL60N90DG3 - IGBT

SGL60N90DG3 PDF doc:

1.1. sgl60n90dg3.pdf Size:331K _samsung

SGL60N90DG3
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N-CHANNEL IGBT SGL60N90DG3 FEATURES TO-264 * High Speed Switching * Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 2.0 V (at Ic=60A) 1 * High Input Impedance * Built in Fast Recovery Diode C APPLICATIONS * Home Appliance G - Induction Heater - IH JAR - Micro Wave Oven E ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Characteristics Unit Rating VCES Collector-Emitter Voltage V 900 VGE Gate

1.2. sgl60n90d.pdf Size:233K _samsung

SGL60N90DG3
SGL60N90DG3

IGBT CO-PAK SGL60N90D FEATURES TO-264 * High Speed Switching * Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 2.7 V (at Ic=60A) 1 * High Input Impedance APPLICATIONS C * Home Appliance - Induction Heater G - IH JAR - Micro Wave Oven E ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Characteristics Unit Rating VCES Collector-Emitter Voltage V 900 VGE Gate - Emitter Voltage V 25 IC Contin

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