IRFB3306 Todos los transistores

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IRFB3306 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFB3306

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 230 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 160 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0042 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220AB

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PD- 93903 IRFB33N15D IRFS33N15D SMPS MOSFET IRFSL33N15D HEXFET® Power MOSFET Applications VDSS RDS(on) max ID High frequency DC-DC converters 150V 0.056Ω 33A Benefits Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) Fully Characterized Avalanche Voltage and Current T

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