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IRF2807 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF2807

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 200

Tensión drenaje-fuente (Uds): 75

Tensión compuerta-fuente (Ugs): 10

Corriente continua de drenaje (Id): 82

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr):

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd), pF:

Resistencia drenaje-fuente RDS (on), Ohm: 0.013

Empaquetado / Estuche: TO220AB

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IRF2807 PDF doc:

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IRF2807
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PD - 91517 IRF2807 HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D VDSS = 75V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175C Operating Temperature RDS(on) = 13m? G Fast Switching Fully Avalanche Rated ID = 82A S Description Advanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per si

1.2. irf2807s.pdf Size:124K _international_rectifier

IRF2807
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PD - 94170 IRF2807S IRF2807L HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Ultra Low On-Resistance VDSS = 75V Dynamic dv/dt Rating 175C Operating Temperature RDS(on) = 13m? Fast Switching G Fully Avalanche Rated ID = 82A Description S Advanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resist

1.3. irf2807z.pdf Size:173K _international_rectifier

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PD - 94659 IRF2807Z AUTOMOTIVE MOSFET HEXFET Power MOSFET Features D Advanced Process Technology VDSS = 75V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating RDS(on) = 9.4m? 175C Operating Temperature G Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID = 75A S Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET Power MOSFET utilizes the latest

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