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IRF4905 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF4905

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 150

Tensión drenaje-fuente (Vds): 55

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 10

Corriente continua de drenaje (Id): 64

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr):

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd), pF:

Resistencia drenaje-fuente RDS(on), Ohm: 0.02

Empaquetado / Estuche: TO220AB

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IRF4905 PDF doc:

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IRF4905
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1.2. irf4905s.pdf Size:163K _international_rectifier

IRF4905
IRF4905

PD - 9.1478A IRF4905S/L HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Surface Mount (IRF4905S) VDSS = -55V Low-profile through-hole (IRF4905L) 175C Operating Temperature RDS(on) = 0.02? Fast Switching G P-Channel ID = -74A Fully Avalanche Rated S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extre

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