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IRF540N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF540N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 140

Tensión drenaje-fuente (Uds): 100

Tensión compuerta-fuente (Ugs): 10

Corriente continua de drenaje (Id): 33

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr):

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd), pF:

Resistencia drenaje-fuente RDS (on), Ohm: 0.052

Empaquetado / Estuche: TO220AB

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IRF540N
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PD - 91342 IRF540NS IRF540NL Advanced Process Technology HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating D 175C Operating Temperature VDSS = 100V Fast Switching Fully Avalanche Rated RDS(on) = 44m? Description G Advanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing ID = 33A S techniques to achieve extremely low on-resistanc

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IRF540N
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PD - 91341B IRF540N HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D VDSS = 100V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175C Operating Temperature RDS(on) = 44m? G Fast Switching Fully Avalanche Rated ID = 33A S Description Advanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per s

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SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET IRF540NS (KRF540NS) TO-263 Unit:mm 9.65 (Min) 10.67 (Max) ■ Features 5.33 (Min) ● VDS (V) = 100V 90 ~ 93 ● ID = 33 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) < 44mΩ (VGS = 10V) 6.22 (min) ● Fast Switching 4.06 (Min) 4.83 (Max) 1.14 (Min) 1.40 (Max) 1.65 (max) D 1.27~1.78 1.14~1.40 0.43~0.63 G 1 Gate 0.51~0.99 2 Drain 2.54 3 Sour

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