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RFL1P10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RFL1P10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 8.33

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20

Corriente continua de drenaje (Id): 1

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 15

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd), pF: 80

Resistencia drenaje-fuente RDS(on), Ohm: 3.65

Empaquetado / Estuche: TO205AF

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