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DMG6898LSD
MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características Número de Parte: DMG6898LSD
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 1.28
Tensión drenaje-fuente (Uds): 20V
Tensión compuerta-fuente (Ugs): 12
Corriente continua de drenaje (Id): 9.5
Temperatura operativa máxima (Tj), °C:
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr):
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd), pF: 1149
Resistencia drenaje-fuente RDS (on), Ohm: 0.016
Empaquetado / Estuche: SO8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET DMG6898LSD
DMG6898LSD
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1.1. dmg6898lsd.pdf Size:140K _diodes |
| GS = 0V,
157 - pF
Output Capacitance Coss -
f = 1.0MHz
142 - pF
Reverse Transfer Capacitance Crss -
1.51 - ?
Gate Resistance Rg - VDS = 0V, VGS = 0V, f = 1MHz
11.6 - nC
Total Gate Charge (VGS = 4.5V) Qg -
26 - nC
Total Gate Charge (VGS = 10V) Qg -
VGS = 4.5V, VDS = 10V,
2.7 - nC ID = 9.4A
Gate-Source Charge Qgs -
3.4 - nC
Gate-Drain Charge Qgd -
11.67 - ns
Turn-On Delay Time tD(on) -
12.49 - ns
Turn-On Rise Time tr -
VDD = 10V, VGS = 4.5V,
35.89 - ns RGEN = 6 |
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