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IXFR64N60P
MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características Número de Parte: IXFR64N60P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 360
Tensión drenaje-fuente (Uds): 600V
Tensión compuerta-fuente (Ugs):
Corriente continua de drenaje (Id): 36
Temperatura operativa máxima (Tj), °C:
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr): 200ns
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd), pF:
Resistencia drenaje-fuente RDS (on), Ohm: 0.105
Empaquetado / Estuche: ISOPLUS247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFR64N60P
IXFR64N60P
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1.1. ixfr64n60p.pdf  Size:151K _ixys  |
 | , test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by 4,835,592 4,931,844 5,049,961 5,237,481 6,162,665 6,404,065 B1 6,683,344 6,727,585
one or moreof the following U.S. patents: 4,850,072 5,017,508 5,063,307 5,381,025 6,259,123 B1 6,534,343 6,710,405B2 6,759,692
4,881,106 5,034,796 5,187,117 5,486,715 6,306,728 B1 6,583,505 6,710,463 6,771,478 B2
IXFR 64N60P
Fig. 1. Output Characteristics Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25?C @ 25?C
65
160
VGS = 10V VGS = |
3.1. ixfr64n50p.pdf Size:143K _ixys  |
 | VGS = 0 V, Note 1 1.5 V
trr IF = 25A, -di/dt = 100 A/s 200 ns
QRM VR = 100V 0.6 C
IRM 6.0 A
Notes:
1. Pulse test, t ?300 s, duty cycle d ? 2 %
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by 4,835,592 4,931,844 5,049,961 5,237,481 6,162,665 6,404,065 B1 6,683,344 6,727,585
one or moreof the following U.S. patents: 4,850,072 5,017,508 5,063,307 5,381,025 6,259,123 B1 6,534,343 6,710,405B2 6,759,692
4,881,106 5,034,796 |
Otros transistores... IXFR44N60
, IXFR44N80P
, IXFR48N50Q
, IXFR48N60P
, IXFR48N60Q3
, IXFR4N100Q
, IXFR64N50P
, IXFR64N50Q3
, IRF830
, IXFR64N60Q3
, IXFR66N50Q2
, IXFR70N15
, IXFR80N15Q
, IXFR80N50P
, IXFR80N50Q3
, IXFR80N60P3
, IXFR90N30
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