2N4427 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N4427
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
Tensión emisor-base (Veb): 2 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.4 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 500 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
Paquete / Cubierta: TO5
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N4427
2N4427 Datasheet (PDF)
2n3866 2n4427.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEET2N3866; 2N4427Silicon planar epitaxialoverlay transistors1995 Oct 27Product specificationSupersedes data of August 1986File under Discrete Semiconductors, SC08aPhilips Semiconductors Product specificationSilicon planar epitaxial2N3866; 2N4427overlay transistorsDESCRIPTION APPLICATIONSNPN overlay transistors in TO-39 metal packages wi
2n4427.pdf
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
2n4424.pdf
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2n4429.pdf
2N4429 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: PACKAGE STYLE .280 4L STUD The ASI 2N4429 is Designed for A 45Class C Amplifier Applications Up to 1,000 MHz. B FEATURES: C D PG = 7.5 dB Typ. at 1.0 W/1000 MHz JE I Emitter Ballasting for Ruggedness F Omnigold Metallization System GH#8-32 UNCKMAXIMUM RATINGS MINIMUM MAXIMUMDIMin
2n4428.pdf
2N4428NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTORPACKAGE STYLE TO-39DESCRIPTION:The 2N4428 is a High FrequencyTransistor Designed for Amplifier andOscillator Applications.MAXIMUM RATINGS IC 425 mAVCE 30 VPDISS 3.5 W @ TC = 25 OC TJ -65 OC to +200 OCTSTG -65 OC to +200 OC 1 = EMITTER 2 = BASE3 = COLLECTOR50 OC/WJCNONECHARACTERISTICS TC = 25 OCSYMBOL TE
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