Todos los transistores

Introduzca al menos 3 números o letras

CXT591E . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CXT591E

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1.2

Tensión colector-base (Vcb): 80

Tensión colector-emisor (Vce): 60

Tensión emisor-base (Veb): 5

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 150

Capacitancia de salida (Cc), pF: 10

Ganancia de corriente contínua (hfe): 200

Empaquetado / Estuche: SOT89

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar CXT591E

CXT591E PDF:

1.1. cxt591e.pdf Size:528K _central

CXT591E
CXT591E

CXT591E www.centralsemi.com SURFACE MOUNT SILICON DESCRIPTION: PNP TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CXT591E is a silicon PNP transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for high current, general purpose amplifier applications. MARKING: FULL PART NUMBER SOT-89 CASE MAXIMUM RATINGS: (TA=25°C) SYMBOL UNITS Collect

Otros transistores... CXT3090L , CXT3150 , CXT3410 , CXT3820 , CXT491E , CXT5401E , CXT5551E , CXT5551HC , 2N4403 , CXT7090L , CXT7410 , CXT7820 , RN2609 , CTLM3410-M832D , CTLM3474-M832D , CTLM7410-M832D , CTLT3410-M621 .

 


CXT591E
  CXT591E
  CXT591E
  CXT591E
 
CXT591E
  CXT591E
  CXT591E
  CXT591E
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

BJT: NSTB60BDW1T1G | NSTB1005DXV5 | NSTB1002DXV5 | NSS60601MZ4T3G | NSS60601MZ4T1G | NSS60600MZ4T3G | NSS60600MZ4T1G | NSS60101DMT | NSS60100DMT | NSS40601CF8T1G | NSS40600CF8T1G | NSS40501UW3T2G | NSS40500UW3T2G | NSS40302PDR2G | NSS40301MZ4T3G | NSS40301MZ4T1G | NSS40301MDR2G | NSS40300MZ4T3G | NSS40300MZ4T1G | NSS20201MR6 |


Introduzca al menos 2 números o letras