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CT60AM-18F - IGBT. Les principales caractéristique des transistors. Caractéristiques techniques

Marquage composant: CT60AM-18F

Polarité: N-Channel

Puissance maximale dissipée (Pc): 180W

Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce): 900V

Tension de saturation collecteur émetteur (Ucesat): 2.1V

Tension Grille – Émetteur (Ueg): 30V

Courant de Collecteur en DC (Ic): 60A

Température maximale de jonction en fonctionnement (Tj), °C: 150

Temps de commutation: 50

Capacité de sortie (Cc), pF: 4400pF

Boitier: TO3PL

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CT60AM-18F
CT60AM-18F

MITSUBISHI Nch IGBT CT60AM-18F INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR CT60AM-18F OUTLINE DRAWING Dimensions in mm 5 20MAX. 2 ?3.2 2 1 0.5 3 5.45 5.45 4.0 VCES ............................................................................... 900V IC .........................................................................................60A GATE Simple drive COLLECTOR EMITTER In

D'autres types de IGBT... CT25ASJ-8 , CT30SM-12 , CT30TM-8 , CT30VM-8 , CT30VS-8 , CT35SM-8 , CT40TMH-8 , CT60AM-18B , IKW50N60T(Marking Code K50T60) , CT60AM-20 , CT75AM-12 , CY20AAJ-8 , CY25AAJ-8 , G10N40 , G10N40C1 , G10N40E1 , G10N50 .

 


CT60AM-18F
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