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BRG25N120D - IGBT. Les principales caractéristique des transistors. Caractéristiques techniques

Type: BRG25N120D

Polarité: N-Channel

Puissance maximale dissipée (Pc): 312

Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Vce): 1200

Tension de saturation collecteur émetteur (Vcesat): 2.5

Tension Grille – Émetteur (Veg): 20

Courant de Collecteur en DC (Ic): 50

Température maximale de jonction en fonctionnement (Tj), °C: 150

Temps de commutation: 36

Capacité de sortie (Cc), pF: 87

Boitier: TO3P

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BRG25N120D PDF doc:

1.1. brg25n120d.pdf Size:161K _igbt_a

BRG25N120D
BRG25N120D

BRG25N120D 绝缘栅双极晶体管/INSULATED-GATE BIPOLAR TRANSISTOR 用途/Applications ◆ 逆变器/General purpose inverter ◆ 变频器/Frequency converters ◆ 电磁炉/Induction Heating(IH) ◆ 不间断电源/Uninterrupted Power Supply(UPS) 特点/Features ◆ 低栅极电荷/Low gate charge ◆ 正温度系数/Positive temperature coefficient ◆ 低饱和压降/Lo

1.2. brg25n120d.pdf Size:161K _blue-rocket-elect

BRG25N120D
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BRG25N120D 绝缘栅双极晶体管/INSULATED-GATE BIPOLAR TRANSISTOR 用途/Applications ◆ 逆变器/General purpose inverter ◆ 变频器/Frequency converters ◆ 电磁炉/Induction Heating(IH) ◆ 不间断电源/Uninterrupted Power Supply(UPS) 特点/Features ◆ 低栅极电荷/Low gate charge ◆ 正温度系数/Positive temperature coefficient ◆ 低饱和压降/Lo

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BRG25N120D
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