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SSIG20N135H - IGBT. Les principales caractéristique des transistors. Caractéristiques techniques

Marquage composant: SSIG20N135H

Polarité: N-Channel

Puissance maximale dissipée (Pc): 310

Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce): 1350

Tension de saturation collecteur émetteur (Ucesat): 1.9

Tension Grille – Émetteur (Ueg): 30

Courant de Collecteur en DC (Ic): 40

Température maximale de jonction en fonctionnement (Tj), °C: 175

Temps de commutation:

Capacité de sortie (Cc), pF: 70

Boitier: TO247

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SSIG20N135H PDF doc:

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SSIG20N135H
SSIG20N135H

 SSIG20N135H Main Product Characteristics: VCES 1350V VCE(sat) 1.9V (typ.) ID 20A @ TC = 100° C Schema t ic d iagr am TO-247 Features and Benefits:  Advanced Trench-FS Process Technology  Low Collector-Emitter Saturation Voltage, Typical Data is 1.9V@20A  Fast Switching  High Input Impedance  Pb- Free Product  Power Switch Circuit of Induction Co

D'autres types de IGBT... FGW75N60HD(75G60HD) , FGW85N60RB(85G60RB) , 1MBH60-100 , FGL40N120AN , BRG15N120D , BRG20N120D , BRG25N120D , SSIG15N135H , G40N60B3 , BT25T120ANF , BT15T120ANF , BT15N120ANF , BT40N60BNF , BT30N60ANF , BT50N60ANF , BT15N60A9F , AP25G45EM .

 


SSIG20N135H
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