Répertoire mondial des transistors gratuit

 

BT50N60ANF - IGBT. Les principales caractéristique des transistors. Caractéristiques techniques

Marquage composant: BT50N60ANF

Polarité: N-Channel

Puissance maximale dissipée (Pc): 312

Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce): 600

Tension de saturation collecteur émetteur (Ucesat): 2.5

Tension Grille – Émetteur (Ueg): 20

Courant de Collecteur en DC (Ic): 50

Température maximale de jonction en fonctionnement (Tj), °C: 150

Temps de commutation: 49

Capacité de sortie (Cc), pF: 175

Boitier: TO3PN

Recherche équivalences (un remplaçant pour le transistor BT50N60ANF )

BT50N60ANF PDF doc:

1.1. bt50n60anf.pdf Size:106K _crhj

BT50N60ANF
BT50N60ANF

Silicon FS Planar IGBT R ○ BT50N60ANF General Description: VCES 600 V Using HUAJING's proprietary Trench design and advanced FS IC 50 A technology, the 600V FS IGBT offers superior conduction and switching Ptot TC=25℃) 312 W performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation. VCE(SAT) 1.7 V Features: FS Trench Technology, Positive temperature c

D'autres types de IGBT... FGW50N60VD(50G60VD) , FGW75N60H(75G60H) , FGW75N60HD(75G60HD) , FGW85N60RB(85G60RB) , 1MBH60-100 , FGL40N120AN , BRG15N120D , BRG20N120D , CT60AM-18F , SSIG15N135H , SSIG20N135H , BT25T120ANF , BT15T120ANF , BT15N120ANF , BT40N60BNF , BT30N60ANF , BT50N60ANF .

 


BT50N60ANF
  BT50N60ANF
  BT50N60ANF
  BT50N60ANF
 
BT50N60ANF
  BT50N60ANF
  BT50N60ANF
  BT50N60ANF
 

social 

INDEX

UPDATE

IGBT BT15N60A9F | BT50N60ANF | BT30N60ANF | BT40N60BNF | BT15N120ANF | BT15T120ANF | BT25T120ANF | SSIG20N135H | SSIG15N135H | BRG25N120D |

Les mots de moins de 2 lettres (chiffres) sont ignorés lors de la recherché