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IXDN55N120D1
- IGBT. Les principales caractéristique des transistors. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors. Marquage composant: IXDN55N120D1
Polarité: N-Channel
Puissance maximale dissipée (Pc):
Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce): 1200V
Tension de saturation collecteur émetteur (Ucesat):
Tension Grille – Émetteur (Ueg):
Courant de Collecteur en DC (Ic): 85A
Température maximale de jonction en fonctionnement (Tj), °C: 150
Temps de commutation: 0
Capacité de sortie (Cc), pF:
Boitier: ISOTOP
Recherche équivalences (un remplaçant pour le transistor IXDN55N120D1
) IXDN55N120D1
- Fiche technique PDF, Datasheet
1.1. ixdn55n120d1.pdf  Size:78K _ixys  |
 | es 3300 pF
C VCE = 25 V, VGE = 0 V, f = 1 MHz 500 pF
oes
C 220 pF
res
Qg IC = 50 A, VGE = 15 V, VCE = 0.5 VCES 240 nC
td(on) 100 ns
t 70 ns
r
Inductive load, TJ = 125°C
td(off) 500 ns
IC = 55 A, VGE = ±15 V,
tf 70 ns
VCE = 600 V, RG = 22 ?
E 8.4 mJ
on
E 6.2 mJ
off
RthJC 0.28 K/W
RthCK Package with heatsink compound 0.1 K/W
Reverse Diode (FRED) Characteristic Values
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)
Symbol Conditions min. typ. max.
VF IF = 55 A, VGE = 0 V 2.4 2.6 V
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