IXSN50N60BD2
- IGBT. Les principales caractéristique des transistors. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors. Marquage composant: IXSN50N60BD2
Polarité: N-Channel
Puissance maximale dissipée (Pc):
Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce): 600V
Tension de saturation collecteur émetteur (Ucesat):
Tension Grille – Émetteur (Ueg):
Courant de Collecteur en DC (Ic): 75A
Température maximale de jonction en fonctionnement (Tj), °C: 150
Temps de commutation: 0
Capacité de sortie (Cc), pF:
Boitier: ISOTOP
Recherche équivalences (un remplaçant pour le transistor IXSN50N60BD2
) IXSN50N60BD2
- Fiche technique PDF, DatasheetImpossible de lire les fichiers pdf! D'autres types de IGBT... IXSK40N60CD1
, IXSK50N60AU1
, IXSK50N60BD1
, IXSK50N60BU1
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