| |
TK8A45D
MOSFET - Les principales caractéristique des MOSFET. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors. Marquage composant: TK8A45D
Type de transistor: MOSFET
Polarité: N
Puissance maximale dissipée (Pd): 35
Tension drain-source de rupture (Uds): 450V
Tension grille-source de rupture (Ugs):
Courant de drain maximum supportable (Id): 8
Température maximale de jonction en fonctionnement (Tj), °C:
Temps de commutation (tr):
Capacité de sortie (Cd), pF:
Résistance drain-source RDS (activé), Ohm: 0.9
Boitier: TO220SIS
Recherche équivalences (un remplaçant pour le transistor TK8A45D
) TK8A45D
- Fiche technique PDF, Datasheet
1.1. tk8a45d_110214.pdf  Size:228K _toshiba  |
 | herwise specified)
Characteristics Symbol Test Condition Min Typ. Max Unit
Gate leakage current IGSS VGS = ±30 V, VDS = 0 V ? ? ±1 µA
Drain cut-off current IDSS VDS = 450 V, VGS = 0 V ? ? 10
Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS ID = 10 mA, VGS = 0 V 450 ? ? V
Gate threshold voltage Vth VDS = 10 V, ID = 1 mA 2.4 ? 4.4
Drain-source on-resistance RDS(ON) VGS = 10 V, ID = 4 A ? 0.73 0.9 ?
Forward transfer admittance |Yfs| VDS = 10 V, ID = 4 A 1.0 3.8 ? S
6.2. Dynamic Characteristics (Ta = |
D'autres types de transistors... TK80E06K3A
, TK80F08K3
, TK80S04K3L
, TK80S06K3L
, TK80X04K3
, TK8A10K3
, TK8A25DA
, TK8A45DA
, BF960
, TK8A50DA
, TK8A50D
, TK8A55DA
, TK8A60DA
, TK8A65D
, TK8P25DA
, TK8S06K3L
, TK9A45D
.
|
