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IRF150 MOSFET - Les principales caractéristique des MOSFET. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors

Marquage composant: IRF150

Type de transistor: MOSFET

Polarité: N

Puissance maximale dissipée (Pd): 150

Tension drain-source de rupture (Uds): 100

Tension grille-source de rupture (Ugs):

Courant de drain maximum supportable (Id): 38

Température maximale de jonction en fonctionnement (Tj), °C: 150

Temps de commutation (tr):

Capacité de sortie (Cd), pF: 3700

Résistance drain-source RDS (activé), Ohm: 0.055

Boitier: TO3

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IRF150
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IRF150
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PD-94526A AUTOMOTIVE MOSFET IRF1503 Typical Applications HEXFET Power MOSFET ? 14V Automotive Electrical Systems D ? 14V Electronic Power Steering VDSS = 30V Features ? Advanced Process Technology RDS(on) = 3.3m? ? Ultra Low On-Resistance G ? 175C Operating Temperature ? Fast Switching ID = 75A S ? Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Description Specifically designed for

1.3. irf150.pdf Size:150K _international_rectifier

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PD - 90337G REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRF150 HEXFET?TRANSISTORS JANTX2N6764 THRU-HOLE (TO-204AA/AE) JANTXV2N6764 [REF:MIL-PRF-19500/543] 100V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF150 100V 0.055? 38A The HEXFET?technology is the key to International Rectifiers advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of thi

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MOSFET IXFH50N50P3 | IXFQ50N50P3 | IXFT50N50P3 | IPF06N03LA | IPS06N03LA | IPU06N03LA | IPD06N03LA | 2SK1202 | SIHFD123 | IRFD123 | IRF630MFP | SSM70T03J | SSM70T03H | AP9916J | AP9916H |

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