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IRF510 MOSFET - Les principales caractéristique des MOSFET. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors

Type: IRF510

Transistor à effet de champ: MOSFET

Polarité: N

Puissance maximale dissipée (Pd): 20

Tension drain-source de rupture (Vds): 100

Tension grille-source de rupture (Vgs):

Courant de drain maximum supportable (Id): 5.6

Température maximale de jonction en fonctionnement (Tj), °C: 150

Temps de commutation (tr):

Capacité de sortie (Cd), pF:

Résistance drain-source RDS (activé), Ohm: 0.54

Boitier: TO220AB

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IRF510 PDF doc:

1.1. irf510.pdf Size:151K _fairchild_semi

IRF510
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IRF510
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IRF510A Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 100 V n Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.4 ? n Rugged Gate Oxide Technology n Lower Input Capacitance ID = 5.6 A n Improved Gate Charge n Extended Safe Operating Area TO-220 n 175C Operating Temperature n Lower Leakage Current : 10 ?A (Max.) @ VDS = 100V n Lower RDS(ON) : 0.289 ? (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absol

1.3. irf510pbf.pdf Size:239K _international_rectifier

IRF510
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PD - 95364 IRF510PbF Lead-Free 6/10/04 Document Number: 91015 www.vishay.com 1 IRF510PbF Document Number: 91015 www.vishay.com 2 IRF510PbF Document Number: 91015 www.vishay.com 3 IRF510PbF Document Number: 91015 www.vishay.com 4 IRF510PbF Document Number: 91015 www.vishay.com 5 IRF510PbF Document Number: 91015 www.vishay.com 6 IRF510PbF TO-220AB Package Outline Dimen

1.4. irf510s.pdf Size:325K _international_rectifier

IRF510
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PD - 95540 IRF510SPbF Lead-Free SMD-220 7/21/04 Document Number: 91016 www.vishay.com 1 IRF510SPbF Document Number: 91016 www.vishay.com 2 IRF510SPbF Document Number: 91016 www.vishay.com 3 IRF510SPbF Document Number: 91016 www.vishay.com 4 IRF510SPbF Document Number: 91016 www.vishay.com 5 IRF510SPbF Document Number: 91016 www.vishay.com 6 IRF510SPbF Peak Diode Reco

1.5. irf510.pdf Size:175K _international_rectifier

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1.6. irf510a.pdf Size:937K _samsung

IRF510
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Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 100 V Avalanche Rugged Technology ? RDS(on) = 0.4 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 5.6 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area ? 175 Operating Temperature Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 100V ? Lower RDS(ON) : 0.289 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings

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