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RFL2N06 MOSFET - Les principales caractéristique des MOSFET. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors

Type: RFL2N06

Transistor à effet de champ: MOSFET

Polarité: N

Puissance maximale dissipée (Pd): 8.33

Tension drain-source de rupture (Vds): 60

Tension grille-source de rupture (Vgs): 20

Courant de drain maximum supportable (Id): 2

Température maximale de jonction en fonctionnement (Tj), °C: 150

Temps de commutation (tr): 14

Capacité de sortie (Cd), pF: 85

Résistance drain-source RDS (activé), Ohm: 0.95

Boitier: TO205AF

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RFL2N06
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RFL2N06
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MOSFET IXFH50N50P3 | IXFQ50N50P3 | IXFT50N50P3 | IPF06N03LA | IPS06N03LA | IPU06N03LA | IPD06N03LA | 2SK1202 | SIHFD123 | IRFD123 | IRF630MFP | SSM70T03J | SSM70T03H | AP9916J | AP9916H |

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