PHD55N03LT
MOSFET - Les principales caractéristique des MOSFET. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors. Marquage composant: PHD55N03LT
Type de transistor: MOSFET
Polarité: N
Puissance maximale dissipée (Pd): 103
Tension drain-source de rupture (Uds): 25V
Tension grille-source de rupture (Ugs):
Courant de drain maximum supportable (Id): 25
Température maximale de jonction en fonctionnement (Tj), °C: 150
Temps de commutation (tr):
Capacité de sortie (Cd), pF:
Résistance drain-source RDS (activé), Ohm: 0.018
Boitier: SOT428
Recherche équivalences (un remplaçant pour le transistor PHD55N03LT
) PHD55N03LT
- Fiche technique PDF, Datasheet
1.1. phb55n03lt_phd55n03lt_php55n03lt_6.pdf  Size:109K _philips2  |
 | nA
IDSS Zero gate voltage drain VDS = 25 V; VGS = 0 V; - 0.05 10 µA
current Tj = 175?C - - 500 µA
Qg(tot) Total gate charge ID = 55 A; VDD = 15 V; VGS = 5 V - 20 - nC
Qgs Gate-source charge - 8 - nC
Qgd Gate-drain (Miller) charge - 9 - nC
td on Turn-on delay time VDD = 15 V; ID = 25 A; - 7 15 ns
tr Turn-on rise time VGS = 10 V; RG = 5 ? - 56 80 ns
td off Turn-off delay time Resistive load - 57 80 ns
tf Turn-off fall time - 38 50 ns
Ld Internal drain inductance Measured tab to centre of |
D'autres types de transistors... PHD10N10E
, PHD12N10E
, PHD2N50E
, PHD2N60E
, PHD3055E
, PHD3N40E
, PHD45N03LT
, PHD50N03LT
, BSS138
, PHD69N03LT
, PHD6N10E
, PHP10N10E
, PHP10N60E
, PHP11N50E
, PHP125N06LT
, PHP12N10E
, PHP130N03LT
.
|
