2SC1623-L4
- Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors. Marquage composant: 2SC1623-L4
Matériau utilisé: Si
Polarité du transistor: NPN
Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 0.15
Tension collecteur–base (maximale) Ucb: 50
Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce): 40
Tension émetteur–base (maximale) Ueb: 5
Courant collecteur maximal (Ic): 0.1
Température maximale de jonction (Tj), °C: 150
Fréquence maximale de fonctionnement fT: 90
Capacite collecteur (Cc), pF:
Gain en courant DC hFE (hfe): 90
Boitier: TO236
Recherche équivalences (un remplaçant pour le transistor 2SC1623-L4
) 2SC1623-L4
- Fiche technique PDF, Datasheet
3.1. 2sc1623.pdf  Size:60K _nec  |
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40
0.8
0.7
35
0.6
0.5
30
0.4
25
0.3
20
0.2
15
10
= 5.0 A
B
I
2SC1623
COLLECTOR CURRENT vs. COLLECTOR AND BASE SATURATION
BASE TO EMITTER VOLTAGE VOLTAGE vs. COLLECTOR CURRENT
100 10
VCE = 6.0 V Pulsed
50 Pulsed
5
20
IC = 50 · IB
2
10
20
10
1
5
VBE(sat)
2
0.5
1
0.2
IC = 50 · IB
0.5
VCE(sat)
0.2 0.1
0.1
0.05
0.05
0.02
0.02
0.01 0.01
0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100
VBE - Base to Emitter Voltage - V IC - Collector C |
3.2. 2sc1623k.pdf Size:492K _secos 3.3. 2sc1623.pdf Size:273K _gsme 3.4. 2sc1623_sot-23.pdf Size:224K _lge 3.5. 2sc1623.pdf Size:204K _wietron  |
 | Fig.7 Collector-emitter saturation voltage vs.
collector current ( )
collector current ( )
I
20
500
10
5
200
2
100
1
0.2 0.5 1 2 5 10 20 50
50
–0.5 –1 –2 –5 –10 –20 –50 –100
V , COLLECTOR TO BASE VOLTAGE (V)
CB
I , EMITTER CURRENT (mA) V , EMITTER TO BASE VOLTAGE (V)
E EB
Fig.9 Gain bandwidth product vs. emitter current
Fig.10 Collector output capacitance vs.collector-base voltage
Emitter inputcapacitance vs. emitter-base voltage
200
100
50
20
10
–0.2 |
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