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2SD2033 - Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors

Marquage composant: 2SD2033

Matériau utilisé: Si

Polarité du transistor: NPN

Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 15

Tension collecteur–base (maximale) Ucb: 120

Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce):

Tension émetteur–base (maximale) Ueb:

Courant collecteur maximal (Ic): 1.5

Température maximale de jonction (Tj), °C: 150

Fréquence maximale de fonctionnement fT:

Capacite collecteur (Cc), pF:

Gain en courant DC hFE (hfe): 30

Boitier: TO126

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1.1. 2sd2033a.pdf Size:361K _rohm

2SD2033
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1.2. 2sd2033.pdf Size:259K _inchange_semiconductor

2SD2033
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INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2SD2033 DESCRIPTION ·Good Linearity of hFE · Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 120V(Min) ·Complement to Type 2SB1353 APPLICATIONS ·Designed for use in high voltage driver applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25?) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage 120

4.1. 2sd2030_2sd2031.pdf Size:30K _hitachi

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2SD2030, 2SD2031 Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency high voltage amplifier Outline TO-92 (1) 1. Emitter 2. Collector 3. Base 3 2 1 2SD2030, 2SD2031 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Item Symbol 2SD2030 2SD2031 Unit Collector to base voltage VCBO 160 200 V Collector to emitter voltage VCEO 160 200 V Emitter to base voltage VEBO 55V Collector current IC 100 100 mA

D'autres types de transistors... 2SD2026 , 2SD2027 , 2SD2028 , 2SD2029 , 2SD203 , 2SD2030 , 2SD2031 , 2SD2032 , BEL187 , 2SD2034 , 2SD2035 , 2SD2036 , 2SD2037 , 2SD2038 , 2SD2039 , 2SD204 , 2SD2040 .

 


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