2SD461
- Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors. Marquage composant: 2SD461
Matériau utilisé: Si
Polarité du transistor: NPN
Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 80
Tension collecteur–base (maximale) Ucb: 250
Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce): 250
Tension émetteur–base (maximale) Ueb: 8
Courant collecteur maximal (Ic): 3
Température maximale de jonction (Tj), °C: 180
Fréquence maximale de fonctionnement fT: 1
Capacite collecteur (Cc), pF:
Gain en courant DC hFE (hfe): 40
Boitier: TO3
Recherche équivalences (un remplaçant pour le transistor 2SD461
) 2SD461
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 | 2SD467
Silicon NPN Epitaxial
Application
• Low frequency power amplifier
• Complementary pair with 2SB561
Outline
TO-92 (1)
1. Emitter
2. Collector
3. Base
3
2
1
2SD467
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item Symbol Ratings Unit
Collector to base voltage VCBO 25 V
Collector to emitter voltage VCEO 20 V
Emitter to base voltage VEBO 5V
Collector current IC 0.7 A
Collector peak current iC(peak) 1.0 A
Collector power dissipation PC 0.5 W
Junction temperature Tj 150 ° C
Storage temperature Tstg –55 to +150 ° C
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Item Symbol Min Typ Max Unit Test conditions
Collector to base breakdown V(BR)CBO 25 — — V IC = 10 µ A, IE = 0
voltage
Collector to emitter breakdown V(BR)CEO 20 — — V IC = 1 mA, RBE = ?
voltage
Emitter to base breakdown V(BR)EBO 5 — — V IE = 10 µ A, IC = 0
voltage
Collector cutoff current ICBO — — 1.0 µ A VCB = 20 V, IE = 0
DC current transfer ratio hFE*1 85 — 240 VCE = 1 V, IC = 0.15 A
(Pulse test)
Collecto |
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