ASY30 - Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors.

Marquage composant: ASY30

Matériau utilisé: Ge

Polarité du transistor: PNP

Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 0.15

Tension collecteur–base (maximale) Ucb: 50

Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce): 25

Tension émetteur–base (maximale) Ueb: 1

Courant collecteur maximal (Ic): 0.25

Température maximale de jonction (Tj), °C: 85

Fréquence maximale de fonctionnement fT: 20

Capacite collecteur (Cc), pF: 5

Gain en courant DC hFE (hfe): 40

Boitier: X04

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ASY30 - Fiche technique PDF, Datasheet

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