2N2768 - Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors.

Marquage composant: 2N2768

Matériau utilisé: Si

Polarité du transistor: NPN

Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 200

Tension collecteur–base (maximale) Ucb: 300

Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce): 300

Tension émetteur–base (maximale) Ueb: 15

Courant collecteur maximal (Ic): 30

Température maximale de jonction (Tj), °C: 175

Fréquence maximale de fonctionnement fT: 0.5

Capacite collecteur (Cc), pF:

Gain en courant DC hFE (hfe): 10

Boitier: TO61

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2N2768 - Fiche technique PDF, Datasheet

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