BCX42R
- Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors. Marquage composant: BCX42R
Matériau utilisé: Si
Polarité du transistor: NPN
Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 0.35
Tension collecteur–base (maximale) Ucb: 125
Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce): 125
Tension émetteur–base (maximale) Ueb: 5
Courant collecteur maximal (Ic): 0.8
Température maximale de jonction (Tj), °C: 150
Fréquence maximale de fonctionnement fT: 100
Capacite collecteur (Cc), pF: 12
Gain en courant DC hFE (hfe): 40
Boitier: SOT23
Recherche équivalences (un remplaçant pour le transistor BCX42R
) BCX42R
- Fiche technique PDF, Datasheet
5.1. bcx42_bss63.pdf  Size:139K _siemens 5.2. bcx42.pdf Size:74K _infineon  |
 | 03
nA
MHz
5
max
?
f
CB0
T
103
5
102
5
102
typ
101
5
5
100
5
-1
101
10
1 3
0 50 100 ?C 150
100 5 10 5 102 mA 10
?
TA
C
Collector-base capacitance Ccb = ?(VCB) Total power dissipation Ptot = ?(TS)
Emitter-base capacitance Ceb = ?(VEB)
550
90
mW
pF
450
BCW66K
70
BCW66
400
60
350
50
300
250
40
CEB 200
30
150
20
100
10
50
CCB
0 0
0 4 8 12 16 V 22 0 15 30 45 60 75 90 105 120 150
°C
VCB(VEB) TS
2007-04-27
4
CB
EB
tot
C
( |
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