BD226-16
- Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors. Marquage composant: BD226-16
Matériau utilisé: Si
Polarité du transistor: NPN
Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 10
Tension collecteur–base (maximale) Ucb: 45
Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce): 45
Tension émetteur–base (maximale) Ueb: 5
Courant collecteur maximal (Ic): 1.5
Température maximale de jonction (Tj), °C: 125
Fréquence maximale de fonctionnement fT: 60
Capacite collecteur (Cc), pF:
Gain en courant DC hFE (hfe): 100
Boitier: TO126
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) BD226-16
PDF doc:
5.1. bd226_228_230.pdf  Size:142K _inchange_semiconductor  |
 | INCHANGE Semiconductor isc Product Specification
isc Silicon NPN Power Transistor BD226/228/230
DESCRIPTION
·DC Current Gain-
: hFE= 40(Min)@ IC= 0.15A
·Complement to Type BD227/229/231
APPLICATIONS
·Designed for use in driver stages in television circuits.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25?)
SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT
BD226 45
VCBO Collector-Base Voltage BD228 60 V
BD230 100
BD226 45
VCEO Collector-Emitter Voltage BD228 60 V
BD230 80
BD226 45
Collector-Emitter
VCER Voltage(RBE= 1k?) BD228 60 V
BD230 100
VEBO Emitter-Base Voltage 5 V
IC Collector Current-Continuous 1.5 A
ICM Collector Current-Peak 3.0 A
Collector Power Dissipation
PC @ TC?62? 12.5 W
TJ Junction Temperature 150 ?
Storage Temperature Range -65~150 ?
Tstg
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL PARAMETER MAX UNIT
Thermal Resistance,Junction to Case 7 ?/W
Rth j-c
Thermal Resistance,Junction to Ambient 100 ?/W
Rth j-a
isc Website:www.iscsemi.cn
INCHANGE Semiconductor |
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