BDT62CF
- Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors. Marquage composant: BDT62CF
Matériau utilisé: Si
Polarité du transistor: PNP
Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 17
Tension collecteur–base (maximale) Ucb: 120
Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce): 120
Tension émetteur–base (maximale) Ueb: 5
Courant collecteur maximal (Ic): 10
Température maximale de jonction (Tj), °C: 150
Fréquence maximale de fonctionnement fT: 10
Capacite collecteur (Cc), pF:
Gain en courant DC hFE (hfe): 2000
Boitier: ISO220
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) BDT62CF
- Fiche technique PDF, Datasheet
5.1. bdt62.pdf  Size:258K _no 5.2. bdt62_a_b_c.pdf Size:306K _inchange_semiconductor D'autres types de transistors... BDT61F
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