BDT63A
- Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors. Marquage composant: BDT63A
Matériau utilisé: Si
Polarité du transistor: NPN
Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 90
Tension collecteur–base (maximale) Ucb: 80
Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce): 80
Tension émetteur–base (maximale) Ueb: 5
Courant collecteur maximal (Ic): 15
Température maximale de jonction (Tj), °C: 150
Fréquence maximale de fonctionnement fT: 10
Capacite collecteur (Cc), pF:
Gain en courant DC hFE (hfe): 2000
Boitier: TO220
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) BDT63A
- Fiche technique PDF, Datasheet
5.1. bdt63.pdf  Size:295K _no 5.2. bdt63_a_b_c.pdf Size:161K _inchange_semiconductor D'autres types de transistors... BDT62A
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