BDT65C
- Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors. Marquage composant: BDT65C
Matériau utilisé: Si
Polarité du transistor: NPN
Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 125
Tension collecteur–base (maximale) Ucb: 120
Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce): 120
Tension émetteur–base (maximale) Ueb: 0
Courant collecteur maximal (Ic): 12
Température maximale de jonction (Tj), °C: 150
Fréquence maximale de fonctionnement fT: 10
Capacite collecteur (Cc), pF:
Gain en courant DC hFE (hfe): 2000
Boitier: TO220
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) BDT65C
- Fiche technique PDF, Datasheet
1.1. bdt65c.pdf  Size:58K _inchange_semiconductor 5.1. bdt65.pdf Size:183K _no 5.2. bdt65f-af-bf-cf.pdf Size:109K _inchange_semiconductor 5.3. bdt65_a_b_c.pdf Size:168K _inchange_semiconductor 5.4. bdt65f_af_bf_cf.pdf Size:109K _inchange_semiconductor D'autres types de transistors... BDT64C
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