BDV18
- Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors. Marquage composant: BDV18
Matériau utilisé: Si
Polarité du transistor: PNP
Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 36
Tension collecteur–base (maximale) Ucb: 80
Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce): 0
Tension émetteur–base (maximale) Ueb: 0
Courant collecteur maximal (Ic): 4
Température maximale de jonction (Tj), °C: 175
Fréquence maximale de fonctionnement fT: 3
Capacite collecteur (Cc), pF:
Gain en courant DC hFE (hfe): 750
Boitier: TO220
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