BDX85C
- Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors. Marquage composant: BDX85C
Matériau utilisé: Si
Polarité du transistor: NPN
Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 100
Tension collecteur–base (maximale) Ucb: 100
Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce): 100
Tension émetteur–base (maximale) Ueb: 5
Courant collecteur maximal (Ic): 15
Température maximale de jonction (Tj), °C: 200
Fréquence maximale de fonctionnement fT: 4
Capacite collecteur (Cc), pF:
Gain en courant DC hFE (hfe): 750
Boitier: TO3
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) BDX85C
- Fiche technique PDF, Datasheet
5.1. bdx85_a_b_c.pdf  Size:269K _inchange_semiconductor D'autres types de transistors... BDX83C
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