BFY50I
- Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors. Marquage composant: BFY50I
Matériau utilisé: Si
Polarité du transistor: NPN
Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 0.2
Tension collecteur–base (maximale) Ucb: 80
Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce): 35
Tension émetteur–base (maximale) Ueb: 5
Courant collecteur maximal (Ic): 0.1
Température maximale de jonction (Tj), °C: 175
Fréquence maximale de fonctionnement fT: 60
Capacite collecteur (Cc), pF: 12
Gain en courant DC hFE (hfe): 60
Boitier: TO18
Recherche équivalences (un remplaçant pour le transistor BFY50I
) BFY50I
- Fiche technique PDF, Datasheet
5.1. bfy50_bfy51_bfy52_cnv_2.pdf  Size:55K _philips  |
 | nA
IC = 0; VEB =5V; Tj = 100 °C - - 2.5 µA
IC = 0; VEB =6V - - 500 nA
hFE DC current gain
BFY50 IC = 10 mA; VCE =10V 20 - -
IC = 150 mA; VCE =10V 30 - -
IC = 500 mA; VCE =10V 20 - -
IC = 1 A; VCE =10V 15 - -
hFE DC current gain
BFY51 IC = 10 mA; VCE =10V 30 - -
IC = 150 mA; VCE =10V 40 - -
IC = 500 mA; VCE =10V 25 - -
IC = 1 A; VCE =10V 15 - -
hFE DC current gain
BFY52 IC = 10 mA; VCE =10V 30 - -
IC = 150 mA; VCE =10V 60 - -
IC = 500 mA; VCE =10V 30 - -
IC = 1 A; VCE =10V 15 - |
5.2. bfy50.pdf Size:46K _st  |
 | 2
tf Fall Time IC = 150 mA VCC = 10 V 60 ns
IB1 = -IB2 = 15 mA
? Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle ? 1%
3/5
BFY50/BFY51
TO-39 MECHANICAL DATA
mm inch
DIM.
MIN. TYP. MAX. MIN. TYP. MAX.
A 12.7 0.500
B 0.49 0.019
D 6.6 0.260
E 8.5 0.334
F 9.4 0.370
G 5.08 0.200
H 1.2 0.047
I 0.9 0.035
L45o (typ.)
DA
G
I
H
L
P008B
4/5
F
E
B
BFY50/BFY51
Information furnished is believed to be accurate and reliable. However, SGS-THOMSON Microelectronics assumes no responsabil |
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