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BLW80
- Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors. Marquage composant: BLW80
Matériau utilisé: Si
Polarité du transistor: NPN
Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 17
Tension collecteur–base (maximale) Ucb: 36
Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce): 17
Tension émetteur–base (maximale) Ueb: 4
Courant collecteur maximal (Ic): 3
Température maximale de jonction (Tj), °C: 200
Fréquence maximale de fonctionnement fT: 750
Capacite collecteur (Cc), pF: 28
Gain en courant DC hFE (hfe): 10
Boitier: TO128
Recherche équivalences (un remplaçant pour le transistor BLW80
) BLW80
- Fiche technique PDF, Datasheet
1.1. blw80.pdf  Size:62K _philips  |
 | IC = 40 mA; VCE = 12,5 V Cre typ 7,1 pF
Collector-stud capacitance Ccs typ 1,2 pF
Note
1. Measured under pulse conditions: tp ? 200 µs; ? ? 0,02.
March 1993 4
Philips Semiconductors Product specification
UHF power transistor BLW80
MGP562
MGP563
40
30
handbook, halfpage
handbook, halfpage
IE = Ie = 0
VCE = 5 V
hFE
f = 1 MHz
Tj = 25 °C
Cc
typ Tj = 25 °C
(pF)
30
20
typ
20
10
10
0
0
0123
0 10 20
IC (A) VCB (V)
Fig.4 Fig.5
MGP564
2
handbook, full pagewidth
VCE = 1 |
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