BSR18A
- Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors. Marquage composant: BSR18A
Matériau utilisé: Si
Polarité du transistor: PNP
Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 0.2
Tension collecteur–base (maximale) Ucb: 40
Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce): 40
Tension émetteur–base (maximale) Ueb: 5
Courant collecteur maximal (Ic): 0.2
Température maximale de jonction (Tj), °C: 150
Fréquence maximale de fonctionnement fT: 250
Capacite collecteur (Cc), pF: 4.5
Gain en courant DC hFE (hfe): 100
Boitier: SOT23
Recherche équivalences (un remplaçant pour le transistor BSR18A
) BSR18A
- Fiche technique PDF, Datasheet
1.1. bsr18a.pdf  Size:53K _philips  |
 | hing times (between 10% and 90% levels); see Fig.3
ton turn-on time ICon = -10 mA; IBon = -1 mA; IBoff =1mA - 65 ns
td delay time - 35 ns
tr rise time - 35 ns
toff turn-off time - 300 ns
ts storage time - 225 ns
tf fall time - 75 ns
Note
1. Pulse test: tp ? 300 µs; ? ? 0.01.
1997 May 28 4
Philips Semiconductors Product specification
PNP switching transistor BSR18A
MGD835
160
handbook, full pagewidth
hFE
120
80
40
0
-10-2 -10-1 -1 -10 -102 -103
IC (mA)
VCE = -1V.
Fig.2 DC |
1.2. bsr18a.pdf Size:74K _fairchild_semi  |
 | e=1.5 Ise=0 Ikf=80m Xtb=1.5 Br=4.977 Nc=2 Isc=0 Ikr=0
Rc=2.5 Cjc=9.728p Mjc=.5776 Vjc=.75 Fc=.5 Cje=8.063p Mje=.3677 Vje=.75 Tr=33.42n Tf=179.3p Itf=.4 Vtf=4
Xtf=6 Rb=10)
BSR18A
PNP General Purpose Amplifier
(continued)
Typical Characteristics
Collector-Emitter Saturation
Typical Pulsed Current Gain
Voltage vs Collector Current
vs Collector Current
0.3
250
V CE = 1.0V ? = 10
0.25
125 °C
200
0.2
0.15
150 25 °C
25 °C
0.1
125°C
100
- 40 °C
0.05
- 40 °C
50 0
0.1 0.2 0.5 |
D'autres types de transistors... BSR15R
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