BU125S - Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors.

Marquage composant: BU125S

Matériau utilisé: Si

Polarité du transistor: NPN

Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 1

Tension collecteur–base (maximale) Ucb: 250

Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce): 150

Tension émetteur–base (maximale) Ueb: 6

Courant collecteur maximal (Ic): 3

Température maximale de jonction (Tj), °C: 125

Fréquence maximale de fonctionnement fT: 15

Capacite collecteur (Cc), pF:

Gain en courant DC hFE (hfe): 30

Boitier: TO39

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BU125S - Fiche technique PDF, Datasheet

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